![苏州无离信息技术有限公司](http://img.czvv.com/logo/57ed38f4757cb6b25094dcaf/57ed38f4757cb6b25094dcaf.png)
苏州无离信息技术有限公司 main business:许可经营项目:无 一般经营项目:研发、销售:计算机软硬件、集成电路、电子产品;计算机技术、通信技术、信息技术、电子技术领域内的技术开发、技术咨询、技术转让;计算机及电子产品的检测;销售:办公设备及配件。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 320506000390950
- 在业
- 有限责任公司
- 2014-03-25
- 张建杰
- 300万元
- 2014-03-25 至 永久
- 苏州市吴中区市场监督管理局
- 2014-04-01
- 苏州市吴中经济开发区越溪街道吴中大道1368号1幢A333室
- 许可经营项目:无 一般经营项目:研发、销售:计算机软硬件、集成电路、电子产品;计算机技术、通信技术、信息技术、电子技术领域内的技术开发、技术咨询、技术转让;计算机及电子产品的检测;销售:办公设备及配件。
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN105761740A | 用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路 | 2016.07.13 | 本发明公开了一种用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路,具体为在其传统的时钟控制电路中增 |
2 | CN105677527A | 一种自动测量嵌入式存储器最大工作频率的系统及方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种自动测量嵌入式存储器最大工作频率的系统及方法,该系统除了一个外设的测试机台和若干个置 |
3 | CN103971733B | 低功耗SRAM单元电路结构 | 2017.04.05 | 本发明公开了一种低功耗SRAM单元电路结构,包括由四个MOS管构成的锁存器,所述锁存器两侧为门控管, |
4 | CN105976858A | 一种可在较低电压下稳定工作的SRAM存储单元 | 2016.09.28 | 本发明公开了一种可在较低电压下稳定工作的SRAM存储单元,包括两个传输门、两个反相器以及串联在一起的 |
5 | CN105897244A | 改善数字控制振荡电路负偏压温度不稳定性的恢复电路 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种改善数字控制振荡电路负偏压温度不稳定性的恢复电路,包括数字控制振荡器电路和NBTI效 |
6 | CN104821180A | 一种适合低电压工作的8管SRAM位单元电路及其阵列 | 2015.08.05 | 本发明公开了一种适合低电压工作的8管SRAM位单元电路及其阵列,该8管SRAM位单元是在传统6管SR |
7 | CN103971733A | 低功耗SRAM单元电路结构 | 2014.08.06 | 本发明公开了一种低功耗SRAM单元电路结构,包括由四个MOS管构成的锁存器,所述锁存器两侧为门控管, |
8 | CN103915114A | 高密度三态内容可寻址存储器单元结构 | 2014.07.09 | 本发明公开了一种高密度三态内容可寻址存储器单元结构,包括预充放大电路,预充放大电路连接有包含在TCA |
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